高可靠存儲器芯片 MCU芯片 圖像壓縮芯片 設計服務業務
公司介紹 發展歷程 企業文化 榮譽資質 新聞資訊
人才戰略 社會招聘 校園招聘
聯系我們
12位(wei)ADC、6路PWM、16KB MTP、1024B SRAM和(he)18個GPIO,高性(xing)價比1T 8051內核(he)MCU。
上一篇
下一篇
內部包含16K字節Flash,512字節SRAM,128字節EEPROM,4COM 12Se..
內部包含(han)4K字節Flash,256字節SRAM,1個8-bit定時器(qi)、2個16-bit定..
12位ADC、4路PWM、4KB MTP、256B SRAM和(he)18個GPIO,高(gao)性價比1T 8051..
12位(wei)ADC、4路PWM、8KB MTP、256B SRAM和18個GPIO,高性價(jia)比(bi)1T 8051..
Copyright @ 2021 湖南融創(chuang)微電(dian)子(zi)股(gu)份有限公司 地址:長(chang)沙高新開發區尖山路18號(hao)中電軟件(jian)園二期第(di)A5棟(dong) 營業執照查閱 網站地圖
技術支持(chi):
移動二維碼